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DMG4932LSD
100,000
10,000
T A = 100°C
10
8
1,000
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
6
4
2
V DS = 15V
I D = 9A
1
0
10
20
30
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
10,000
1,000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
f = 1MHz
C iss
C oss
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate-Charge Characteristics
100
10
C rss
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Total Capacitance
30
DMG4932LSD
Document number: DS32119 Rev. 4 - 2
4 of 9
www.diodes.com
August 2010
? Diodes Incorporated
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